买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4382DY-T1-E3 MOSFET 30V 4.7mohm@10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4382DY-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 4.7mohm@10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 4.7mohm@10V
SI4382DY-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 13 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 37 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
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代理商 SI4382DY-T1-E3
SI4382DY-T1-GE3
SI4384DY-T1-E3
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  • SI4382DY-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,050 2.802 2942.1
    2,500 2.07 5175
    5,000 2.042 10210
    7,500 2.002 15015